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标题: 碳化硅MOSFET晶体管IMBG65R260M1H/IMW65R027M1H/IMW65R039M1H [打印本页]

作者: h13841953 时间: 2024-10-19 13:15
标题: 碳化硅MOSFET晶体管IMBG65R260M1H/IMW65R027M1H/IMW65R039M1H
明佳达，星际金华供求碳化硅 MOSFET 晶体管：IMBG65R260M1H，IMW65R027M1H，IMW65R039M1H
N 沟道 IMBG65R260M1H 碳化硅单 FET MOSFET 晶体管 TO-263-8
产品描述
IMBG65R260M1H 是 650V N 沟道 MOSFET 晶体管，可实现最高系统效率的简化和低成本部署。
应用范围
电信和服务器 SMPS
UPS（不间断电源）
太阳能光伏逆变器
SiC 沟道功率 MOSFET 晶体管 IMW65R027M1H TO-247-3 集成电路芯片
产品描述
IMW65R027M1H 是 650V CoolSiC M1 SiC 沟槽功率器件，N 沟道单 FET MOSFET 晶体管。
应用
电动汽车充电基础设施
能源存储和信息电池
级放大器
TO-247-3 IMW65R039M1H N 沟道晶体管 650V 176W 集成电路芯片
产品描述
IMW65R039M1H 是 650V、176W N 沟道单 FET 晶体管，通孔，封装为 TO-247-3。
特点
卓越的栅极氧化可靠性
Tj,max=175°C，热性能优异
与标准驱动器兼容（推荐驱动电压：18V）

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