QPF4656TR13—TPS5402DR—GD32E230C8T6—IXFP14N85XM-规格信息

（供应芯片）星际金华、明佳达——长期供应原装IC：QPF4656TR13（Wi-Fi 6E 高功率前端模块），TPS5402DR
非同步降压稳压器、GD32E230C8T6（32位微控制器MCU）、IXFP14N85XM功率MOSFET晶体管。
QPF4656TR13：6GHz，Wi-Fi 6E 高功率前端模块，QFN封装
QPF4656TR13是专为Wi-Fi 6 和 6E (802.11ax) 系统设计的集成前端模块 (FEM)。小巧的外形和集成匹配功能最大限度地减少了应用中的布局面积。
QPF4656TR13性能的重点是优化功率放大器的 5 V 电源电压，以节省功耗，同时保持最高的线性输出功率和领先的吞吐量。
QPF4656TR13 在单个器件中集成了 5.9 - 7.1 GHz 功率放大器 (PA)、单刀双掷开关 (SP2T) 和可旁路低噪声放大器 (LNA)。
TPS5402DR：1.7A，输出的非同步降压稳压器，SOIC-8
TPS5402DR 是一款具有宽运行输入电压范围（3.5V 至 28V）的单片非同步降压稳压器。TPS5402DR 执行内部斜坡补偿的电流模式控制来减少组件数量。
TPS5402DR 还特有一个轻负载脉冲跳跃模式，此特性可在轻负载时减少为系统供电的输入电源的功率损失。可使用一个外部电阻器将此转换器的开关频率设定在 50kHz 至 1.1MHz 之间。
TPS5402DR   引入了频率展频操作以减少 EMI。具有频率折返功能的逐周期电流限制在过载情况下保护集成电路 (IC)。
GD32E230C8T6：72MHz，32位 ARM Cortex M23 微控制器MCU，LQFP-48
产品特性：
ARM® Cortex®-M23 32 位处理器内核
工作频率高达 72 MHz，闪存访问次数为 0~2
多达 64 KB 的嵌入式闪存
多达 8 KB 的 SRAM 内存
与两条 APB 总线相连的各种增强型I/O 和外设
一个 12 位 ADC 和一个比较器
多达五个通用 16 位定时器、一个基本定时器和一个 PWM 高级定时器
标准和高级通信接口：多达两个 SPI、两个 I2C、两个 USART 和一个I2S
GD32E230C8T6 是一款基于Cortex®-M23 内核的 32 位微控制器，具有 64KB 闪存、8 KB SRAM、39 个 I/O 引脚，并支持各种通信和外设功能。
IXFP14N85XM：HiPerFET™功率MOSFET晶体管，TO-220-3
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1043 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：38W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3