好奇为什么有人说SN580的制程是28nm的大火炉 ？

发现好多人说SN580主控28nm，是个大火炉
但查了下现在主控是Sandisk 20-82-10082-A1 ，上面芯片 Polaris MP16+是台积电 FinEFT 16nm 制程，这与SN770是同主控啊
也看到有更早的测试里出现过A101-000137，但从techpowerup看到20-82-10081-A1、20-82-10082-A1、A101-000137、A101-000138都是SanDisk Polaris Mp16+ ARM 32-bit Cortex-R - TSMC 16nm FinFET 4-Channels (16 CE in total) at 1600 MTps
我没在现场，不知道是否漏掉什么，求在现场的来解惑下

不了解，但听说硬盘主控目前用先进制程的很少，瓶颈也不在密度上
不过三星的5.0新旗舰用的7nm还是5nm来着，温度表现很优秀，成本也很高就是了

580主要是h桥热，不是主控和颗粒

不是说sn580是低温盘嘛？ 适合笔记本

以下数据来自wd官网
WDS100T3B0E-00CHF0,PCIe NVMe 1T00,Polaris+, BiCS5 512Gb eX3 2P,M.2 2280,16D,Vulcan,non-SED,WD Blue SN580
WDS100T3X0E-00B3N0,PCIe NVMe 1T00,Polaris+, BiCS5 512Gb eX3 2P,M.2 2280,16D,Vulcan PC SN770,non-SED,WD Black
所以还觉得是低温盘吗，纯纯的谣传罢了