AMD可能会采用三星4nm工艺,用于制造Chromebook的APU

据了解，AMD计划采用三星的4LPP工艺（第二代4nm级工艺）。AMD为转用三星工艺需要做相关准备工作，花销不小，同时Chromebook市场需求有限，财务上来看成本并不低。分析师认为，AMD这么做只是先做尝试，同时也会对三星3nm工艺的项目做评估，未来可能会让三星代工部分GPU。
我觉得AMD这样做，估计是为了应对下一代奔腾、赛扬N系列，可能还有低压i3。

AMD用三星4LPP，应该是为了降低成本。
三星4LPP在低频下能效应该相当于TSMC N6，中频下相当于TSMC N7P，高频相当于TSMC N7。
三星4LPE有可能没有想象中的那么不堪，虽然还是不如TSMC N5。高通8gen1能效那么拉，估计很多实际上是ARM和高通的问题，尤其是adreno 730。
三星4LPP的密度比TSMC N6高很多，做同样的芯片，面积会比用TSMC N6小得多，成本优势很大。
如果使用三星4nm LPP低功耗工艺，密度相对R7 5800H的N7P HPC提升2倍。
如果使用三星4nm LPP高性能工艺，密度相对R7 5800H的N7P HPC提升1.5倍。

AMD用三星4LPP做chrome book SOC：
使用高密度工艺，密度大约是R7 5800H的2倍，芯片的面积更小，成本更低，低频能效更好，但高频上不去，CPU频率最高估计也就3.2Ghz。
使用高性能工艺，密度大于是R7 5800H的1.5倍，高频性能好于低功耗工艺，但低频能效会差一些，而且芯片代工成本更高。CPU最高频率可以达到3.8Ghz甚至更高。
不过chrome book和入门级PC也不需要多强的性能，用高密度低功耗工艺是个很好的选择。
CPU和GPU堆得规格都不会高，以降低成本。CPU方面，4*3.2Ghz ZEN3+其实就足够了。

最大的一种可能：三星使用4LPP低功耗高密度工艺制造低端SOC
AMD可能会把Rembrandt的低端SOC使用三星4LPP。
CPU：4*3.2Ghz ZEN3+
GPU：RDNA2 4WGP 1.2Ghz
CPU和GPU的规格比较低，成本比较低。而且频率也不是高频，用低功耗工艺可以压得住，密度也可以做高一些，降低低频功耗，节约成本。
三星4LPE能压得住3Ghz ARM X2（高通8gen1），同样密度下，高频性能更好的4LPP压3.2Ghz ZEN3+应该没问题。

AMD使用三星4LPP的SOC，面向chrome book和入门级PC，对标的应该是Intel下一代奔腾、赛扬N。
Intel下一代奔腾、赛扬N，使用的是gracemont核心，面积效率和能效很好，而且成本很低，对AMD确实是个很大的挑战。但最大的问题是使用了Intel 7高性能工艺，低频能效很差，可能最多只有初代N7甚至三星8nm水平。
AMD使用ZEN3+架构的SOC去应对，为了降低成本，用高密度的三星4LPP很合适。三星4LPP就算再不行，低频能效也比Intel 7高性能工艺要好。

预估一下下一代Intel奔腾、赛扬N的规格：
CPU：4*gracemont，最高3.6Ghz，个人感觉最高应该3.4Ghz。
GPU：gen12 32EU，最高1.1Ghz
工艺应该还是Intel 7高性能工艺，但密度会比较高，估计相当于TSMC N7P HPC。
假如ZEN3+的IPC能达到桌面端ZEN3的水平，3.2ghz zen3+，整数性能相当于3.6ghz gracemont，浮点性能相当于3.95ghz gracemont
对于低端SOC，ZEN3+的浮点可以削弱一些，减少面积，降低功耗。
3.2ghz zen3+和三星4lpp工艺，低频下的性能和能效应该都可以赢Intel的奔腾、赛扬N了。

对于使用三星4LPP的Rembrandt SOC：
CPU方面，如果3.2ghz下，性能可以达到3.6ghz gracemont，功耗4W以下，或者3Ghz下，性能可以达到3.4Ghz gracemont，功耗3.5W以下。
GPU方面，只要RDNA2 2WGP以上。
三星4LPE可以压3Ghz ARM X2，功耗不超过4W，那么相同密度下，更强的三星4LPP压3.2Ghz ZEN3+应该没问题。ARM X2的IPC比ZEN3桌面端高7~8%。
如果这样的话，对于入门级PC、chrome book、平板来说还是很香的。
虽然晶体管数量会多一些，但三星4LPP工艺可以把成本降下来。

大家也不要一看到三星工艺就吐槽，觉得很弱鸡，相反，它对Intel的奔腾、赛扬N是个很大的挑战，包括性能、能效、性价比。
AMD准备用三星4LPP制造用于chrome book和入门级PC的SOC，命名应该是R3和Athlon，对标奔腾、赛扬N，反正你们也瞧不上。
三星4LPP只是高频上不去，中高频能效差，低频其实还好，差不多有TSMC N6的水平，低频能效比Intel 7要好的。
Rembrandt使用的是TSMC N6 HPC工艺，如果三星使用4LPP高密度工艺做低端SOC，低频下单核能效说不定比Rembrandt还要好。
Intel的gracemont面积效率很高，AMD必须使用低成本高密度工艺做入门级SOC，三星4LPP是个很好的选择。三星工艺报价也比较低。
从市场考虑，AMD用三星4LPP工艺做低端SOC是个很好的选择。

哈哈哈哈哈哈哈哈，笑死我了，原来是你啊！幕刃！

哎哟哟，这么想你爹我啊？
哈哈哈哈哈哈哈，笑死我了

还改名新加波妖王啊！
哈哈哈哈哈哈，被我破防到这个地步吗？

哈哈哈哈哈哈哈，笑死我了，哈哈哈哈哈哈哈哈，你不愧是我的笑点

幕刃，你怎么不打拳啦？

媚黑添洋吊，卖银换矿机，月入5000，好了不起啊！！！

还装大学生，结果小学没毕业，论文都没有，被我打脸到删帖！

幕刃破防到，日夜挂念我，笑死我了，哈哈哈哈哈哈哈哈哈

8GEN1的问题大部分应该是三星工艺的问题，毕竟8GEN1、888中核的能效也拉，在台积电的时候可不这样。
甚至Intel将来的lakefield可能都没这么糟糕，如果8GEN1能被手机厂商和消费者接受，那么lakefield其实也可以，win11甚至可以搞个手机模式。
或许三星的工艺确实没有通过缩减fin的数量来降低功耗，但也没有像Intel那样改进晶体管的结构和材料来提升性能和能效，拉胯也正常。至于arm的X1 X2是否因为降低流水线提升IPC导致同频功耗升高且高频能效差，这当然也是一个问题，但影响最大的还得是工艺。毕竟这么多年性能的推动主要靠工艺，功耗的降低也是主要靠工艺，rocketlake到alderlake就是很明显的例子。

准备拜烂
x1x2超频改名可太让人惊喜了