AT42QT2100-MUR控制器，EPCS128SI16N存储器，IPA60R099P7晶体管

AT42QT2100-MUR是一款电容式触摸控制器，带有 10 个可配置的 QTouch 触控通道。最多可配置 7 个按钮和 1 个滑块或 1 个滚轮。
AT42QT2100-MUR——电容式触摸控制器IC，VQFN-32
类型：按钮，滑块，拨轮
接近探测：是
输入数：最高 8
接口：SPI
分辨率：14 b
电压 - 供电：2V ~ 5.5V
工作温度：-40°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-VFQFN 祼焊盘
供应商器件封装：32-VQFN（5x5）
星际金华，明佳达【供应】【回收】AT42QT2100-MUR电容式触摸控制器，EPCS128SI16N串行闪存存储器，IPA60R099P7（MOSFET 晶体管）。
EPCS128SI16N是一款128Mbit，40MHz串行配置闪存存储器，可存储上电后用于FPGA配置的配置数据——
EPCS128SI16N——40MHz，128Mbit 串行配置闪存，SOIC-16
可编程类型：系统内可编程
存储容量：128Mb
内存类型：闪存
工作电源电流：100 uA
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC
星际金华，明佳达【供应】【收购】AT42QT2100-MUR电容式触摸控制器，EPCS128SI16N串行闪存存储器，IPA60R099P7（MOSFET 晶体管）。
IPA60R099P7：600VCoolMOS™ P7 超级结 MOSFET 晶体管，兼具高能效和易用性，TO-220-3
系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小Rds On）：10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1952 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：29W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-FP
封装/外壳：TO-220-3