美光介绍新一代闪存路线，四百层以上结构计划明年放量
编辑部 · 发布 2026/10/28 · 更新 2026/10/28
据 StorageReview 对美光技术活动的报道，公司下一代闪存采用 G11 命名，计划以晶圆键合等技术实现四百层以上结构，并于二〇二七年下半年扩大产量。公司介绍的目标包括提高单位面积容量、输入输出速度和能效。相关比较以现有代际为基准，仍需等待实际量产产品验证。
据 StorageReview 对美光技术活动的报道，公司下一代闪存采用 G11 命名，计划以晶圆键合等技术实现四百层以上结构，并于二〇二七年下半年扩大产量。
公司介绍的目标包括提高单位面积容量、输入输出速度和能效。相关比较以现有代际为基准，仍需等待实际量产产品验证。
路线图还出现最高五百一十二太字节的数据中心固态硬盘容量方向，但尚未对应明确型号、接口和上市时间，不能视为该规格产品已经发布。
