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IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV

编辑:ll
IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV
型号:IXFA14N85XHV
品牌:IXYS/艾赛斯
封装:TO-263
最大漏源电流:14A
漏源击穿电压:850V
RDS(ON)Max:550mΩ
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
特性:高功率密度、易于安装、节省的空间
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温:-55℃~150℃
IXFA14N85XHV场效应管
IXFA14N85XHV的电性参数:最大漏源电流14A;漏源击穿电压850V
IXFA14N85XHV应用:
开关模式和谐振模式
电源
DC-DC转换器
PFC电路
交流和直流电机驱动
机器人与伺服控制



IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV-1.jpg

IXFA14N85XHV-ASEMI代理艾赛斯MOS管IXFA14N85XHV-2.jpg

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